萩生田光一経済産業相、次世代半導体の研究開発施設を視察

萩生田光一経済産業相は3日、アメリカ、ニューヨーク州オールバニを訪問し、日米の企業が参画する次世代半導体の研究開発施設を視察しました。
米IBMや日本の半導体関連企業と意見交換し、日米の協力推進と産官学の連携強化を図る考えを示しました。

萩生田氏は経済安全保障の観点からも次世代技術の開発が重要だと指摘し、「同盟国である日米で、これまで以上に一体となって取り組みを推進したい」と述べた。

施設はニューヨーク州とＩＢＭが中心となって運営し、ニューヨーク州立大学や東京エレクトロン、ＳＣＲＥＥＮホールディングスなども参画している。ＩＢＭは同施設を拠点として回路線幅が２ナノメートル（ナノは１０億分の１）の次世代半導体の開発に成功し、電子機器の速度と性能の向上につながると期待されている。

引用元　半導体開発で日米協力推進　経産相が米で先端施設視察

今やあらゆるものに使用されていると言っても過言ではない半導体技術。
コロナの影響による半導体不足で様々な業界が苦境に立たされています。
開発ができない状況というのは我々消費者にも直接的に影響しており、スマホやPC、車など様々なものが購入できない状況に陥っています。
そういった側面の強化にも繋がる今回の日米協力。ぜひ勧めてほしいものです。

萩生田光一経済産業相